旋涂速度对制备P3 HT有机场效应晶体管性能的影响

• 作者: 吴峰 王倩 程晓曼 蒋晶 郑灵程
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 有机场效应晶体管 旋涂速度 P3HT PMMA
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 941-946
• 页数: 6页
• 分类号: O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153608.0941

摘要

采用溶液化的方法制备了以PMMA为绝缘层、P3HT为有源层的有机场效应晶体管。研究了P3HT有源层和PMMA绝缘层的旋涂速度对器件性能的影响。实验结果表明，当 P3HT和 PMMA的旋涂速度均为2000 r/min时，器件的性能最佳。峰值场效应迁移率为6.84×10-2 cm2·V-1·s-1。结果表明，选择适当的旋涂速度是一种有效提高溶液化制备有机场效应晶体管性能的方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑灵程	天津理工大学理学院	3	5	2.0	2.0
2	蒋晶	天津理工大学理学院	3	5	2.0	2.0
3	王倩	天津理工大学理学院	25	60	5.0	7.0
4	吴峰	天津理工大学理学院	7	7	2.0	2.0