VFTO空间场对腔体耦合试验研究

• 作者: 张琳 黄辉敏
• 来源期刊: 微波学报
• 关键词: 特快速暂态过电压(VFTO) 时域有限差分法 腔体 耦合场 印刷电路板
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 77-81
• 语种: 中文
• DOI: 10.14183/j.cnki.1005-6122.201502017

摘要

采用基于时域有限差分法(FDTD)的电磁仿真软件,建立了在VF-TO空间辐射场下的二次设备外壳仿真模型,分析了该外壳内不同开孔及孔阵部位耦合场特性.然后通过现场测试,研究了在1000kV GIS变电站中,VF-TO空间场辐射下的二次设备内耦合场特性.结果表明:二次设备外壳上的孔阵及缝隙阵对VFTO空间场辐射有明显的抑制作用,且耦合场在腔体内的持续时间要明显大于VFTO空间场在自由空间中的持续时间:二次设备内的PCB板对腔体内的耦合场有一定的抑制作用,因而当腔体内存在PCB时,腔体内耦合场幅值将比空腔时要小,同时由于介质板对高频振荡的抑制作用,耦合场的持续振荡时间也会有所缩短,且发现腔体内的PCB会改变原有空腔内耦合场的主频分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄辉敏	广西电网公司电力科学研究院	7	10	1.0	3.0
2	张琳		4	1	1.0	1.0