使用铜源漏电极的非晶氧化铟锌薄膜晶体管的研究

• 作者: 宁洪龙 彭俊彪 徐瑞霞 徐苗 王磊 赵铭杰 邹建华 陈子楷 陶洪
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 氧化铟锌 铜布线
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 935-941
• 页数: 7页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 3609字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153608.0935

摘要

为了实现氧化物薄膜晶体管( TFT)的低电阻布线,采用Cu作为氧化物TFT的源漏电极。通过优化成膜工艺制备了电阻率低至2.0μΩ·cm的Cu膜,分析了Cu膜的晶体结构、粘附性及其与a-IZO薄膜的界面,制备了以a-IZO为有源层和Cu膜的粘附层的TFT器件。结果表明：所制备的Cu膜呈多晶结构；引入a-IZO粘附层增强了Cu膜与衬底的粘附性；同时,Cu在a-IZO中的扩散得到了抑制。所制备的TFT的迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压分别为12.9 cm2/(V·s)、0.28 V/dec和-0.6 V。