高压静电场对黄瓜幼苗叶绿素荧光的影响

• 作者: 吴沿友 朱剑昀 李美清
• 来源期刊: 农机化研究
• 学科: 农学
• 关键词: 高压静电场 黄瓜幼苗 叶绿素荧光参数 根表面积 根系活性吸收面积
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 195-198
• 页数: 4页
• 分类号: S183
• 字数: 2183字
• 语种: 中文

摘要

以萌发30天的黄瓜幼苗为实验材料，研究不同强度的高压静电场（ HVEF ）对叶绿素荧光参数的影响。研究发现，较低强度的外加电场可显著降低 NPQ 与 qN ，提高 ETR 与 qP ，有利于黄瓜幼苗将光能转化为化学能。其中，以1．0 kV/cm 强度电场的促进作用最为显著；过强的外加电场则会破坏PSⅡ反应中心，不利于黄瓜幼苗进行光合作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴沿友	江苏大学现代农业装备与技术教育部重点实验室	55	888	16.0	28.0
5	李美清	江苏大学现代农业装备与技术教育部重点实验室	4	17	2.0	4.0
6	朱剑昀	江苏大学现代农业装备与技术教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0