PVP对碳热还原氮化法制备TiN薄膜的影响

• 作者: 于云 卜景龙 崔燚 董占亮 魏恒勇 魏颖娜
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 聚乙烯吡咯烷酮(PVP) 碳热还原氮化 TiN薄膜 显微结构
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 页码范围: 1838-1842
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2811字
• 语种: 中文

摘要

采用四氯化钛的无水乙醇溶液为钛源,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为成膜助剂及还原助剂,利用碳热还原氮化技术,在N2气氛下经1300℃进行还原氮化5h制备出TiN薄膜.采用XRD和SEM研究了PVP分子量及其用量对TiN薄膜微观结构的影响.结果发现,随着PVP分子量增大,薄膜中TiN晶体沿(111)面择优生长趋势减小,PVP分子量为1300000时薄膜中TiN晶粒尺寸较大,晶界减少.当PVP用量由钛/碳摩尔比为1∶10增加到1∶12时,TiN薄膜裂纹减少,而增至1∶14时,TiN薄膜中气孔增多.TiN薄膜的生长过程为:TiN颗粒状晶核逐渐生长成棒状,然后继续生长形成片状三角形或六边形,最后呈现出三角锥或六棱台形.