应力对IGBT电性能的影响及应力来源研究

• 作者: 唐龙谷 江冰松
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 机械应力 热应力 形变势
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2015.02.014

摘要

基于形变势理论,分析了应力下硅基半导体的禁带变窄效应和迁移率增强效应.建立了IGBT芯片模型,研究了应力对IGBT电性能的影响,分析了IGBT的应力来源,可为IGBT应力控制提供一定的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江冰松		1	0	0.0	0.0
2	唐龙谷		2	0	0.0	0.0