GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性

• 作者: 侯彩霞 刘三姐 卢建娅 夏宇 李宝吉 王乃明 王瑾 郑新和
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaNAs 超晶格 太阳电池 分子束外延生长
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 923-929
• 页数: 7页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 4410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153608.0923

摘要

采用分子束外延( MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 eV吸收带边的GaN0.03 As0.97/In0.09 Ga0.91 As应变补偿短周期超晶格( SPSL)。高分辨率X射线衍射( HRXRD)测量结果显示，当周期厚度从6 nm增加到20 nm时，超晶格的结晶质量明显改善。然而，当周期厚度继续增加时，超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化，获得了具有低温光致发光现象的高含N量GaNAs/InGaAs超晶格，吸收带边位于1 eV附近。使用10个周期的GaNAs/InGaAs超晶格(10 nm/10 nm)和GaAs组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 mA/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。