OBIRCH用于集成电路短路的背面失效定位

• 作者: 刘丽媛 孙哲 李庆飒 陈选龙
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热激光激发技术 光束感生电阻变化(OBIRCH) 集成电路(IC) 失效分析 失效定位 传输线脉冲(TLP)
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 856-860
• 分类号: TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.11.011

摘要

基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位.详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精密研磨、抛光等先进制样手段对失效样品进行开封、芯片背面减薄.采用OBIRCH方法从芯片背面进行激光成像,成功对0.18 μm工艺6层金属化布线的集成电路ggNMOS结构保护网络二次击穿和PMOS电容栅氧化层损伤进行了失效定位,并对背面定位图像和正面定位图像、InGaAs CCD成像进行了对比分析.结果表明,InGaAs CCD成像模糊并无法定位,OBIRCH背面定位成像比正面成像清楚,可以精确定位并观察到缺陷点.因此,OBIRCH技术用于集成电路短路的背面失效定位是准确的,可解决多层结构的正面定位难题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈选龙		8	31	4.0	5.0
2	刘丽媛		9	36	4.0	5.0
3	孙哲		1	4	1.0	1.0
4	李庆飒		1	4	1.0	1.0