氟化钇电子注入层对OLED器件性能的影响

• 作者: 刘星元 张镭 林杰 郑宣明
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机电致发光器件 氟化钇 电子注入层
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 912-916
• 页数: 5页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 2731字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153608.0912

摘要

利用氟化钇( YF3)代替 LiF 作为电子注入层材料,以金属铝作为阴极,制备了有机电致发光器件( OLED)。实验结果表明：适当厚度的YF3电子注入缓冲层可以增强阴极的电子注入能力,使得电子和空穴的浓度更加平衡,有效地提高器件的电致发光性能。其中,1.2 nm厚YF3的器件具有最小的起亮电压2.6 V,最高的电流效率8.52 cd·A-1,最大的亮度36530 cd·m-2。最大亮度和电流效率与LiF参考样品相比,分别提高了39%和53%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林杰	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	6	8	2.0	2.0
2	刘星元	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	14	41	4.0	5.0
3	张镭	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	7	24	3.0	4.0
7	郑宣明	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	1	1.0	1.0