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摘要:
空间环境中大量带电粒子的辐射效应,特别是单粒子效应,严重威胁着空间CMOS器件的可靠性.文章首先分析了数字单粒子瞬态机理和加固技术,在此基础上,针对复杂数字ASIC电路中存在的典型结构,提出了一种适合星载复杂数字ASIC的抗辐射加固电路结构.通过对标准ASIC设计方法进行改进,给出了抗辐射加固ASIC设计流程.最后实现了一款星载ASIC的研制,流片和测试结果表明了改进的ASIC实现方法的有效性.
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内容分析
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文献信息
篇名 星载数字ASIC抗辐射加固设计与实现方法
来源期刊 空间电子技术 学科
关键词 抗辐射加固数字ASIC 单粒子效应 单粒子瞬态 设计方法
年,卷(期) 2015,(6) 所属期刊栏目 通信与导航
研究方向 页码范围 41-44
页数 4页 分类号
字数 2467字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-7135.2015.06.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周国昌 20 50 4.0 5.0
2 赖晓玲 16 29 3.0 4.0
3 朱启 8 18 2.0 3.0
4 巨艇 13 34 3.0 4.0
5 袁雅婧 3 6 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
抗辐射加固数字ASIC
单粒子效应
单粒子瞬态
设计方法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
空间电子技术
双月刊
1674-7135
61-1420/TN
大16开
西安市165信箱
1971
chi
出版文献量(篇)
1737
总下载数(次)
9
总被引数(次)
6261
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