氧化镓薄膜的制备及其日盲紫外探测性能研究

• 作者: 于永斌 刘浩 邓宏 陈文宇 韦敏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: β-Ga2O3 射频磁控溅射 紫外探测
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 906-911
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3103字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153608.0906

摘要

采用射频磁控溅射方法在蓝宝石单晶衬底上沉积氧化镓( Ga2 O3)薄膜,并通过光刻剥离工艺( Lift-off)制备了金属-半导体-金属结构的Ga2 O3日盲紫外探测器。对不同温度下沉积的Ga2 O3薄膜分析表明,在800℃下获得的薄膜结晶质量最好,薄膜的导电性则随着沉积温度的上升先增大后减小。在800℃制备的β-Ga2 O3薄膜的可见光透光率大于90%,光学吸收边在255 nm附近。在10 V偏压下,探测器的暗电流约为1 nA,光电流达800 nA,对紫外光响应迅速。器件的响应度达到0.3 A/W,260 nm波长处的响应度是290 nm波长对应响应度的40倍,可实现日盲紫外波段的探测。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
2	陈文宇	电子科技大学计算机科学与工程学院	45	389	10.0	18.0
3	韦敏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	131	7.0	11.0
4	刘浩	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	20	3.0	4.0
5	于永斌	电子科技大学信息与软件工程学院	12	35	4.0	5.0