背腐蚀在N型晶体硅太阳电池生产中的应用

• 作者: 崔景光 张东升 李峰 汤欢 闫英丽 陈明敬 马继奎
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅太阳电池 背腐蚀 内量子效率 转换效率
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 191-194,199
• 页数: 5页
• 分类号: TM919.4
• 字数: 1334字
• 语种: 中文

摘要

采用湿化学方法对硅片背面抛光钝化,研究背腐蚀对硅片各项性能、电池电性能的影响.通过分析腐蚀后硅片表面形貌、反射率及电池电性能的变化,发现腐蚀降低了硅片表面粗糙度,增大背面反射率,内量子效率中长波光的响应增强;抛光使得金字塔棱角变得更平滑,降低硅片表面电子空穴复合速率,增大了有效少子寿命,开路电压和短路电流密度分别增加了3 mV和0.3J/cm2,电池效率提升了0.3％,最高可达到19.5％.