Co3O4纳米片的简单热氧化法制备及其磁性能

• 作者: 钟明龙
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: Co3O4 纳米片 磁性材料 生长机制
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 119-123
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.2015.02.004

摘要

在空气气氛下,通过简单的电热板将氧化沉积在硅基片上的钴薄膜在553～723 K下加热24 h,制备出了大面积Co3O4纳米片,并对纳米片的形貌、晶体结构、生长机制及其磁性能进行了系统研究.结果表明:Co3O4纳米片垂直基片生长,其厚度约为25 ～ 80 nm,长度可达1 μm,纳米片尺寸随热氧化温度升高而增加.与相应的块体材料对比,Co3O4纳米片的Néel转变温度TN显著降低,约为20 K.450℃热氧化形成的样品5K时的磁滞回线具有明显交换偏置,交换偏置场约为9.6×10-3 T.Co膜简单热氧化生成Co3O4纳米片的过程分为两步:首先在Co膜表面由里往外形成了CoO层和Co3O4层,随后Co3O4纳米片在外层的Co3O4氧化层上形核生长,并最终形成了未氧化的Co层/CoO层/Co3O4层/Co3O4纳米片层的多层结构这种较低温度下热氧化生成Co3O4纳米片的生长过程是一种短程扩散生长机制,并受钴离子的向外扩散速率控制,生成的纳米片的形状与Co3O4晶体结构密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟明龙	江西理工大学工程研究院	10	83	4.0	9.0