55 V沟槽型功率场效应管设计?

• 作者: 冯全源 汪德波 陈晓培
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 沟槽功率器件 元胞 终端 流片测试
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1946字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.01.006

摘要

设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析，结合实际工艺，对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析，最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%，器件具有较高的可靠性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	陈晓培	西南交通大学微电子研究所	11	31	3.0	5.0
3	汪德波	西南交通大学微电子研究所	4	4	1.0	1.0