全包封功率器件中大芯片表面分层的分析

• 作者: 何晓光 石海忠 缪小勇
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 分层 全包封 芯片
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 1-2,42
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 1545字
• 语种: 中文

摘要

全包封功率器件相对于半包封功率器件更容易达到安规要求，其需求出现了逐渐增加的趋势，但是全包封器件的分层问题一直困扰着业界。通过分层现状的调查，分析了分层存在的界面和产生原因，通过优化试验找到了解决分层最有效的措施是中大芯片表面缓冲层，从而使全包封功率器件的可靠性达到更高要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	缪小勇		11	43	4.0	6.0
2	石海忠		8	5	1.0	2.0
3	何晓光		1	1	1.0	1.0