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摘要:
提出了一种高效率逆F类GaN HEMT功率放大器设计方法,给出了GaN HEMT大信号优化模型,并基于负载牵引、源牵引和谐波负载牵引下进行仿真,得到了晶体管最大输出功率和最大效率下的最佳输入和输出阻抗.测试表明:2.4GHz下PAE为77%,输出功率为12W.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 2.4GHz逆F类GaN HEMT功率放大器的实现
来源期刊 南京工业职业技术学院学报 学科 工学
关键词 功率附加效率 逆F类 GaN HEMT 功率放大器
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目 机电工程与技术
研究方向 页码范围 5-8
页数 4页 分类号 TN722.75
字数 1987字 语种 中文
DOI
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 何强 南京工业职业技术学院能源与电气工程学院 9 26 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
功率附加效率
逆F类
GaN HEMT
功率放大器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
南京工业职业技术学院学报
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1671-4644
32-1635/Z
南京市仙林大学城羊山北路1号
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