MOCVD法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜的性能研究

• 作者: 孙孪鸿 徐家跃 李文博 邹军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 蓝宝石 GaN薄膜 MOCVD
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 页码范围: 1790-1793,1805
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2051字
• 语种: 中文

摘要

本文采用MOCVD法分别在a面和c面蓝宝石衬底上生长出7层InGaN/GaN多量子阱结构的GaN薄膜,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪、吸收光谱等手段对样品进行表征.分析表明:a面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品A)的FWHM为781.2 arcsec,c面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品B)的FWHM为979.2 arcsec.样品A和样品B中存在的压应力分别为0.8523 GPa和1.2714 GPa,薄膜的能带宽度(理论值为3.4 eV)分别为3.38 eV和3.37 eV.以上数据表明a面蓝宝石衬底上生长出来GaN薄膜的结晶质量较好,光学性能更优异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐家跃		87	198	6.0	9.0
2	邹军		27	96	6.0	8.0
3	孙孪鸿		2	3	1.0	1.0
4	李文博		1	3	1.0	1.0