背景气压对纳秒脉冲激光烧蚀半导体Ge的影响

• 作者: 焦铮 许媛
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体 数值模拟 脉冲激光烧蚀 半导体Ge
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 1081-1088
• 页数: 8页
• 分类号: O411.3|TN249
• 字数: 4637字
• 语种: 中文
• DOI: 103969/j.issn.0490-6756.2015.09.024

摘要

为了深入理解在纳秒激光烧蚀半导体材料过程中背景气压对烧蚀过程以及羽流膨胀动力学特性的影响,本文利用一维激光烧蚀和流体动力学耦合模型,对不同He气压下的纳秒脉冲激光烧蚀半导体Ge的过程进行了模拟计算.结果表明:在氦气环境下,背景气压的变化对辐照在靶面的激光能量影响较小,因此靶面蒸发率、靶面温度和靶面烧蚀深度对气压变化的敏感程度较低;同时,背景气压的增大抑制了羽流膨胀,使羽流膨胀速度减小.计算结果和分析对于优化纳秒激光烧蚀半导体时背景环境气压具有理论指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	焦铮	黄山学院信息工程学院	38	49	4.0	5.0
2	许媛	黄山学院信息工程学院	18	35	3.0	5.0