2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩（C8-BTBT）与MoS2界面的能级匹配与薄膜生长

• 作者: 吕路 曹宁通 牛冬梅 谢海鹏 高永立
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子能谱 C8-BTBT 能级匹配 分子取向 薄膜生长
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 875-881
• 页数: 7页
• 分类号: O46
• 字数: 2763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153608.0875

摘要

结合紫外光电子能谱(UPS)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等实验手段系统研究了C8-BTBT沉积在层状MoS2基底上的界面能级匹配、薄膜生长和分子取向。研究发现C8-BTBT分子竖直生长在MoS2上，生长过程中界面的真空能级( VL)、最高占据态轨道( HOMO)和电离能( IP)都出现了非常规的弯曲现象。这种能级弯曲行为可归因于直立分子从界面相到体相的转变过程中，其分子倾斜角(θ)存在一定的渐变，这种渐变会在沿表面法线方向诱导出一系列的层间电偶极，最终导致能级的弯曲。同时θ的变化也会改变薄膜的表面极化强度，引起IP的逐渐减小。能级的弯曲在界面处形成类P-N结的效应会对C8-BTBT基电子器件的性能有很大的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛冬梅	中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所	4	6	2.0	2.0
2	吕路	中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所	2	5	2.0	2.0
3	谢海鹏	中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所	5	15	3.0	3.0
4	曹宁通	中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所	2	5	2.0	2.0