6英寸高均匀性P型硅外延片的工艺研究

• 作者: 吕婷 李明达 陈涛
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 6英寸 均匀性 P型硅外延 非主动掺杂
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 3806字
• 语种: 中文

摘要

主要进行了6英寸（152.4 mm）高均匀性P型硅外延片的生产工艺研究。利用 PE-2061S型桶式外延炉，在重掺硼的硅衬底上化学气相沉积P/P+型硅外延层。通过流场调节工艺、基座包硅工艺、变流量解吸工艺、两步生长工艺等关键工艺的改进，对非主动掺杂效应进行了有效抑制，利用FTIR（傅里叶变换红外线光谱分析）、C-V（电容-电压测试）、SRP（扩展电阻技术）等测试方法对外延层的电学参数以及过渡区形貌进行了测试，得到结晶质量良好、厚度不均匀性<1%、电阻率不均匀性<1.5%的6英寸P型高均匀性硅外延片，各项参数均可以达到器件的使用要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明达		21	34	4.0	4.0
2	陈涛		23	41	4.0	4.0
3	吕婷		1	4	1.0	1.0