单壁碳纳米管-石墨烯杂化材料的自组装及其电学性能

• 来源期刊: 新型炭材料
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 342-348
• 页数: 7页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文
• DOI: 10.1016/S1872-5805(15)60193-7

摘要

以Si为基底,采用气相沉积法制备出石墨烯( G/Si)薄膜。将含1%APTES的苯溶液与G/Si密封,在115℃下加热2 h,G薄膜上自组装单层APTES膜( SAM-G/Si)。将SAM-G/Si浸渍于酸处理后的单壁碳纳米管氯仿液中,45℃干燥即得到单壁碳纳米管-石墨烯杂化材料( SWCNT-G/Si)。结果表明,具有p-型电学性能的G/Si经表面改性后呈现出n-型性能,电容性能得到提高。