Sc2O3对水热法生长ZnO晶体的影响

• 作者: 任孟德 何小玲 周海涛 左艳彬 张昌龙 王金亮
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 钪掺杂ZnO 水热法 生长机理 霍尔效应 光致发光
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 页码范围: 1758-1763
• 页数: 6页
• 分类号: O74
• 字数: 3361字
• 语种: 中文

摘要

在分别添加0.1wt％,0.2wt％和0.3％wt％ Sc2O3的水热体系中得到了ZnO单晶体.研究了杂质,特别是Sc对ZnO水热生长机制的影响.Sc及其在碱性溶液中形成阴离子配位中间体基团(例如Sc(OH)4)可以吸附到ZnO的(0001)和(0001)面,导致这两个极性面发生非极性生长,形成规则六棱柱的形貌.在室温下测得的电阻率和载流子浓度显示:即使所得晶体的钪含量仅有8 ～ 13 ppm,Sc掺杂ZnO仍是高导电性的,电阻率低于5.6×10-2 Ω·cm,载流子浓度在0.9～1.6×1018electrons/cm3.表征了切割自+c区和-c区的晶片的Zn面和O面的室温光致发光用于评价光学性能.