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摘要:
为准确而高效实现CCD辐射损伤参数的定量测试与分析,根据现有的光电成像器件辐射效应测试系统,研究了CCD器件的辐射损伤参数测试方法,可测试暗信号、电荷转移效率、饱和输出电压、固定图像噪声、光响应非均匀性和光谱响应等参数.用此法获得了某CCD器件在60Co-γ射线源辐照下的参数变化规律.结果表明:该测试方法利于CCD辐射损伤的分析,可为CCD的辐射效应研究和抗辐射性能评估提供试验数据.
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文献信息
篇名 CCD器件辐射损伤参数测试方法
来源期刊 上海航天 学科 航空航天
关键词 辐射效应 参数测试方法 光谱响应
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 64-68
页数 5页 分类号 V520.6
字数 2579字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吾勤之 8 24 3.0 4.0
2 李豫东 中国科学院新疆理化技术研究所 10 17 2.0 3.0
3 陈佳杰 4 5 1.0 2.0
4 葛钊 2 5 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
辐射效应
参数测试方法
光谱响应
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上海航天
双月刊
1006-1630
31-1481/V
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