C掺杂ZnO稀磁半导体的磁特性研究

• 作者: 翁臻臻
• 来源期刊: 福州大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 稀磁半导体 第一性原理 磁特性
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 778-782
• 页数: 5页
• 分类号: O474
• 字数: 2630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7631/issn.1000-2243.2015.06.0778

摘要

利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究C掺杂ZnO稀磁半导体的磁性质.发现ZnO∶C体系的磁性来源于C-p和Zn-d轨道之间的杂化,铁磁性产生的机制是以巡游电子为媒介的铁磁交换作用.富O环境下制备ZnO∶C样品能够更好地在室温下得到稳定的铁磁有序.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翁臻臻	福州大学物理与信息工程学院	5	6	2.0	2.0