中波 InAs／GaSb 超晶格红外焦平面探测器

• 作者: 任正伟 向伟 徐应强 牛智川 王国伟 蒋洞微 贺振宏 郝宏玥
• 来源期刊: 航空兵器
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb超晶格 红外焦平面探测器 分子束外延
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 航空武器技术
• 页码范围: 49-51
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1747字
• 语种: 中文

摘要

由分子束外延生长的GaSb基的InAs／GaSb超晶格材料具有良好的均匀性，其在制作红外焦平面探测器方面有独特的优势。分别采用生长中断和表面迁移率增强的分子束外延法在GaSb衬底上生长了中波段InAs／GaSb超晶格红外探测器材料，对比表明对于中波超晶格材料，生长中断法优于表面迁移率增强法。利用标准工艺制作了中波红外PIN单元探测器，并制备了320×256的焦平面探测器芯片。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	向伟	中国科学院半导体研究所	13	86	6.0	9.0
2	牛智川	中国科学院半导体研究所	45	124	5.0	8.0
3	徐应强	中国科学院半导体研究所	17	50	4.0	6.0
4	王国伟	中国科学院半导体研究所	8	20	4.0	4.0
5	任正伟	中国科学院半导体研究所	9	25	3.0	4.0
6	贺振宏	中国科学院半导体研究所	5	7	1.0	2.0
7	蒋洞微	中国科学院半导体研究所	2	5	1.0	2.0
8	郝宏玥	中国科学院半导体研究所	2	4	1.0	2.0