盐酸二氧丙嗪分子印迹电极的制备与性能研究

• 作者: 弓晓杰 申贵隽 穆帅 谷灵燕 赵志伟 邓赛
• 来源期刊: 分析试验室
• 学科: 化学
• 关键词: 盐酸二氧丙嗪 分子印迹 差分脉冲伏安法 邻苯二胺
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告与研究简报
• 页码范围: 178-181
• 页数: 4页
• 分类号: O657.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13595/j.cnki.issn1000-0720.2015.0039

摘要

以邻苯二胺为功能单体,盐酸二氧丙嗪为模板分子,对盐酸二氧丙嗪分子印迹电极制备与性能进行了研究.建立了一种新的测定盐酸二氧丙嗪的电化学分析方法.用循环伏安法和差分脉冲伏安法法研究了该电极的选择性和灵敏度.该分子印迹电极对盐酸二氧丙嗪分子具有显著的催化还原和选择作用.在pH5.6的乙酸-乙酸钠缓冲溶液中,还原峰电流与盐酸二氧丙嗪浓度在0.01～1.0 mg/mL范围内呈良好的线性关系,检出限为0.005 mg/mL.方法可用于药剂中盐酸二氧丙嗪含量的测定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	弓晓杰		25	138	6.0	11.0
2	申贵隽		35	92	6.0	8.0
3	赵志伟		8	5	1.0	2.0
4	谷灵燕		6	5	1.0	2.0
5	邓赛		5	4	1.0	2.0
6	穆帅		2	0	0.0	0.0