静电场处理对GH4169合金中δ相析出行为的影响

• 作者: 刘杨 安金岚 宋秀 王磊 胥国华 赵光普
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: GH4169合金 电场处理 δ相 γ"相
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 页码范围: 1235-1241
• 页数: 7页
• 分类号: TG132.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.11900/0412.1961.2015.00375

摘要

将静电场应用于GH4169合金的时效过程,研究了静电场对合金δ相沉淀析出行为的影响规律,并探讨了其机理.结果表明,合金在850℃以8 kV/cm静电场强度进行15 min时效,δ相开始在晶界析出;时效1h晶内分布大量γ"相.随时效时间延长,δ相尺寸增大、体积分数增加,γ"相尺寸亦增大.与未加静电场时效处理相比,静电场时效处理后合金中δ相体积分数降低、尺寸减小,γ"相体积分数升高;晶界δ相中Nb原子分数降低、Fe和Cr原子分数升高,晶界δ相点阵常数c减小、a和b增大.由于静电场时效处理后合金中平均空位浓度升高,促进了Fe和Cr原子扩散,同时Fe和Cr原子置换晶界δ相中Nb原子,Nb原子固溶入晶内.另一方面,空位浓度的升高增加了,γ"相非匀质形核几率,促进γ"相析出.同时,空位亦可松弛基体γ相与γ"相的共格畸变,有效抑制了γ"相向δ相转变,增加了强化相γ"相的稳定性.