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并联型忆阻器混沌电路设计
并联型忆阻器混沌电路设计
作者:
卢鑫
曾以成
李鑫
谭志平
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
忆阻器
混沌
并联
相图
分叉图
数值仿真
摘要:
利用磁控忆阻器、电感和电容三个元件并联设计了一种新型忆阻器混沌电路。采用常规的动力学分析方法研究了系统的基本动力学特性,例如相图、平衡点稳定性分析、李雅普诺夫指数谱和分岔图。结果表明该系统产生了一类特殊混沌吸引子,且随系统参数改变,系统可以产生丰富的混沌行为。为验证电路混沌行为,利用Pspice进行了相应的电路仿真,仿真结果与理论分析、数值仿真基本一致。
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篇名
并联型忆阻器混沌电路设计
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
忆阻器
混沌
并联
相图
分叉图
数值仿真
年,卷(期)
2015,(2)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
50-53
页数
4页
分类号
TP309.7|O241.84
字数
2208字
语种
中文
DOI
10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.02.013
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
曾以成
湘潭大学光电工程系
116
670
13.0
19.0
2
李鑫
湘潭大学光电工程系
10
27
4.0
5.0
3
谭志平
湘潭大学光电工程系
4
48
4.0
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参考文献(6)
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参考文献(3)
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参考文献(0)
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参考文献(0)
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引证文献(1)
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引证文献(4)
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2017(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
2018(3)
引证文献(1)
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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