4H-SiC的强氧化液化学机械抛光

• 作者: 宗艳民 徐现刚 梁庆瑞 王希杰 胡小波 陈秀芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 化学机械抛光 高锰酸钾 粗糙度 去除率
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 页码范围: 1741-1747
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文

摘要

研究了一种新型的化学机械抛光方法,使用以KMnO4作为氧化剂的强氧化性化学机械抛光液(SOAS)进行化学机械抛光.研究了在4H-SiC硅面和碳面的化学机械抛光过程中,SOAS溶液中KMnO4的浓度对抛光质量的影响.使用原子力显微镜(AFM)和精密电子天平,分别测试了表面粗糙度和去除率.结果表明,适量的KMnO4可以大幅度提高4H-SiC的化学机械抛光去除率,同时可提高4H-SiC衬底的表面抛光质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
2	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
3	陈秀芳	山东大学晶体材料国家重点实验室	17	102	5.0	9.0
4	梁庆瑞	山东大学晶体材料国家重点实验室	2	15	2.0	2.0
8	宗艳民		5	19	3.0	4.0
9	王希杰		3	15	2.0	3.0