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摘要:
芯片小型化和超薄化的趋势促使晶圆级封装(WLP)技术变得更为普及.由于金属及低介电材料叠层制造的芯片后段(BEOL)薄膜层间黏合特性对WLP的切割良率以及产品出厂后的可靠性有很大的影响.提出了一种新型的芯片整体黏合性能的评估方法——拉伸实验,包括样品选取规则,拉伸实验样品的制备,成功的拉伸实验判定准则,以及对断裂样品的断裂面及拉力强度的分析方法.有两种典型的芯片拉伸曲线分别对应了脆性断裂(断裂面位于金属层上方的SiO2薄层)和韧性断裂(断裂面基本在凸块工艺的聚酰亚胺层或与白胶的接触面).对WLP芯片来说,优化后的多层布线薄膜工艺需要在拉伸实验中得到韧性断裂的结果验证,确保晶圆切割时不会发生芯片多层布线薄膜层间剥离的问题.
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文献信息
篇名 评估芯片多层布线薄膜层间黏合性能的新方法
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 拉伸实验 层间剥离 拉伸曲线 脆性断裂 韧性断裂
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目 半导体检测与设备
研究方向 页码范围 227-233
页数 分类号 TN407
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.03.012
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研究主题发展历程
节点文献
拉伸实验
层间剥离
拉伸曲线
脆性断裂
韧性断裂
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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38
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