技术前沿:TI加快GaN技术的推广应用

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 电源解决方案 技术前沿 GAN TI 氮化镓 工程师们 功率密度 电源设计 硅晶体 高性能驱动
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TN32

摘要

【正】相较于以往使用的硅晶体管,氮化镓(GaN)可以让全新的电源应用在同等的电压下以更高的转换频率运行。这意味着,在同样的条件下,GaN可实现比基于硅材料的解决方案更高的效率。TI日前发布了LMG5200,随着这款全集成式原型机的推出,工程师们能够轻松地将GaN技术融入到电源解决方案中,从而进一步突破了对常规功率密度