ICP干法刻蚀GaAs背孔工艺研究

• 作者: 何志毅 刘洪刚 周佳辉 常虎东 张旭芳 徐文俊 李思敏 李海鸥 李琦
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 感应耦合等离子体 “长草”效应 GaAs背孔 刻蚀形貌
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 等离子体技术
• 页码范围: 306-310
• 分类号: TN405.98
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.03.10

摘要

采用金属Ni作为掩膜,C12/BCl3作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对GaAs HEMT背孔工艺进行研究.本文详细研究了ICP功率、反应室压强、Cl2/BCl3流量比以及RF功率对刻蚀速率、刻蚀形貌以及“长草”效应的影响.实验结果表明:刻蚀速率随ICP功率、Cl2/BCl3流量、RF功率的增加而增加,但随反应室压强的增加,刻蚀速率先增加后降低;相同RF功率条件下,背孔陡直性受ICP功率、反应室压强以及刻蚀气体流量比的影响十分明显;而RF功率则对背孔“长草”效应有较大影响.通过优化刻蚀条件,在ICP功率为500W,反应室压强为0,4Pa,Cl2/BCl3流量为20/5 mL/min,RF功率为120W的刻蚀条件下,刻蚀背孔陡直性好,侧壁平滑,底部平整,刻蚀速率达到3μm/min.