退火对单层二硫化钼荧光特性的影响

• 作者: 张广宇 张菁 时东霞 沈成
• 来源期刊: 化学学报
• 关键词: 二硫化钼 荧光 激子 电荷转移
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 954-958
• 语种: 中文
• DOI: 10.6023/A15030220

摘要

单层二硫化钼是继石墨烯后的一种新型二维材料.它是一种直接带隙半导体,具有优异的光电特性,从而受到人们的广泛关注.之前的研究报道过单层二硫化钼在氩气中退火后可以提升其A激子峰的荧光强度,但我们发现,空气中退火较氩气退火效果更为明显.本文重点研究了在空气中退火对二硫化钼的荧光特性的影响.不同条件下制备的单层二硫化钼样品,经过在空气中退火处理后,荧光峰位均发生了蓝移,荧光强度提升了一个数量级.我们认为,这是由于空气退火造成二硫化钼缺陷的形成,大量氧气分子被缺陷束缚并发生电荷转移.氧气分子充当受主的角色,起着P型掺杂的作用.电荷的抽取造成二硫化钼的负电激子减少,中性激子增多,提升了其荧光量子效率.我们在对照实验中发现,NH3吸附在二硫化钼表面时,荧光强度下降,峰位红移,这是由于NH3分子充当施主的角色,造成负电激子增多,中性激子减少.本文为提高单层二硫化钼的荧光量子效率提供了一种简单有效的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	时东霞	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	23	165	8.0	12.0
2	张菁	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	20	198	7.0	13.0
3	张广宇	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	5	32	3.0	5.0
5	沈成	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	1	4	1.0	1.0