掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响

• 作者: 张越 杨德仁 梁兴勃 田达晰 董鹏 赵剑 马向阳
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 掺杂剂 点缺陷 氧化诱生层错 直拉硅
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 096105-1-096105-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.096105

摘要

对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长，以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响。研究表明：在相同的热氧化条件下，重掺锑直拉硅片的OSF的长度大于重掺磷硅片的。基于密度泛函理论的第一性原理计算结果表明：与磷原子相比，锑原子是更有效的空位俘获中心，从而抑制空位与自间隙硅原子的复合。因此，在经历相同的热氧化时，氧化产生的自间隙硅原子与空位复合后所剩余的数量在重掺锑硅片中的更多，从而导致OSF更长。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	张越	浙江大学硅材料国家重点实验室	12	121	7.0	11.0
4	田达晰	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	31	3.0	5.0
8	赵剑	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
9	梁兴勃	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
10	董鹏	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0