钨CMP中碱性抛光液组分间化学作用及其影响

• 作者: 牛新环 王现彬 贾英茜
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) 碱性抛光液 钨插塞 pH值 抛光速率
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 334-338
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.05.012

摘要

CMP工艺水平很大程度上依赖于抛光液的组分及配比,组分之间的相互作用是化学机械抛光的研究内容之一.对以纳米SiO2为磨料、H2O2为氧化剂、有机碱为pH调节剂的钨碱性抛光液组分之间的化学相互作用进行理论分析.纳米SiO2表面存在不饱和的羟基,和有机碱之间存在化学反应,在抛光过程中不仅起机械研磨的作用,同时以化学抛光作用对抛光产生影响.有机碱和H2O2之间的氧化还原反应会使抛光液中的OH含量发生变化,氧化能力降低,从而影响钨的抛光速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛新环	河北工业大学信息工程学院	69	406	10.0	17.0
2	王现彬	石家庄学院物理与电气信息工程学院	27	31	3.0	4.0
3	贾英茜	石家庄学院物理与电气信息工程学院	22	28	3.0	4.0