石墨烯+聚合物 电子迁移率更高

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 电子迁移率 化学气相沉积 聚合物层 能隙 石英管 涂布 相关技术 硅晶片 光电元件
• 年，卷（期）: bdtxx,（2）
• 页码范围: 33-34
• 页数: 2页
• 分类号: TQ127.11

摘要

【正】石墨烯(graphene)被很多人认为是硅材料的后继者,因为其电子迁移率可达到硅的十倍以上,并解决了硅材料在制程微缩方面的许多问题;不过石墨烯缺乏制作晶体管所需的能隙(bandgap),也延迟了相关技术的发展。Barbero表示,研究团队利用化学气相沉积(CVD)技术与垂直石英管,将大面积的单层石墨烯与铜箔合成;接着以旋转涂布方式在该石墨烯层上添加聚合