TiO2薄膜元件阻变机理的模拟研究

• 作者: 刘俊勇 周白杨 张维 李建新 邢昕 陈志坚
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: TiO2 阻变机理 氧空位 反应磁控溅射
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 9-12
• 分类号: TB34|O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2015.01.03

摘要

基于密度泛函理论采用第一性原理对Ti8O16 、Ti8O15和Ti8O14三种晶体结构进行电子结构的模拟计算.通过模拟结果的分析推断氧空位的作用:氧空位含量较少时,起捕获电子的作用;氧空位含量较多时,起构成导电细丝的作用;可得出TiO2阻变机理受导电细丝理论和空间电流限制电荷效应控制的推论.参考模拟计算的结果,通过选择不同的反应磁控溅射镀膜工艺,控制薄膜钛氧比进而改变氧空位含量,可获得低阻态受氧空位导电细丝控制的阻变介质层.采用反应磁控溅射法制备以TiO2薄膜为阻变层的阻变元件并研究其阻变机理,需要大量的实验以优化镀膜工艺参数,而采用计算模拟的方法探讨阻变机理则可以节约材料和时间成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周白杨	福州大学材料科学与工程学院	36	89	5.0	7.0
2	张维	福州大学材料科学与工程学院	5	14	2.0	3.0
3	陈志坚	福州大学材料科学与工程学院	10	29	2.0	5.0
4	李建新	福州大学材料科学与工程学院	9	21	2.0	4.0
5	邢昕	福州大学材料科学与工程学院	3	6	1.0	2.0
6	刘俊勇	福州大学材料科学与工程学院	3	6	1.0	2.0