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Comparison of interfacial and electrical properties between Al2O3 and ZnO as interface passivation layer of GaAs MOS device with HfTiO gate dielectric
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摘要：
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| 篇名 | Comparison of interfacial and electrical properties between Al2O3 and ZnO as interface passivation layer of GaAs MOS device with HfTiO gate dielectric | ||
| 来源期刊 | 半导体学报（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 2015,（3） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 74-78 | |
| 页数 | 分类号 | ||
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | 10.1088/1674-4926/36/3/034006 | ||
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半导体学报(英文版)
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
开本：
大16开
出版地：
北京912信箱
邮发代号：
2-184
创刊时间：
1980
语种：
eng
出版文献量（篇）
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