10纳米鳍式晶体管架构FinFET工艺

• 作者: 技闻
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管架构 鳍式场效应晶体管 FinFET 10纳米工艺
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 字数: 1852字
• 语种: 中文

摘要

FET的全名是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET),先从大家较耳熟能详的MOS来说明o MOS的全名是金属一氧化物一半导体场效晶体管(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor,MOSFET),鳍式场效应晶体管是闸极长度缩小到20纳米以下的关键,拥有这个技术的制程与专利,才能确保未来在半导体市场上的竞争力,这也是让许多国际大厂趋之若骛的主因.创新半导体架构和制造工艺才是关键.