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摘要:
为提高硅基微通道板(silicon-based microchannel plate,Si-MCP)的增益特性,提出采用复合发射层结构取代常规的单发射层结构以改善微通道内壁的二次电子发射特性.计算了SiO2/Si、Al2O3/Si、MgO/Si双层薄膜在不同厚度下的二次电子发射系数与初电子能量的关系曲线,并对结果进行了比对验证.该计算结果对设计制作硅基MCP具有一定参考价值.
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文献信息
篇名 多层薄膜二次电子发射特性的理论研究
来源期刊 深圳大学学报(理工版) 学科 工学
关键词 薄膜物理学 硅基微通道板 二次电子发射 数值模拟 发射系数 薄膜厚度
年,卷(期) 2015,(4) 所属期刊栏目 光电工程
研究方向 页码范围 417-421
页数 5页 分类号 TN101
字数 4149字 语种 中文
DOI 10.3724/SP.J.1249.2015.04417
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭金川 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统教育部重点实验室 29 103 6.0 8.0
2 周彬 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统教育部重点实验室 12 45 4.0 6.0
3 陈凤 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统教育部重点实验室 1 2 1.0 1.0
4 陈泗方 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统教育部重点实验室 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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薄膜物理学
硅基微通道板
二次电子发射
数值模拟
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薄膜厚度
研究起点
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深圳大学学报(理工版)
双月刊
1000-2618
44-1401/N
大16开
深圳市南山区深圳大学行政楼419室
46-206
1984
chi
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