AlGaN/GaN异质结材料的中子辐照效应

• 作者: 全思 刘盼芝 张林 徐小波 谷文萍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN异质结构 中子辐照 受主缺陷 表面形貌 晶格应力
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 217-221
• 分类号: TN386|O571.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.03.010

摘要

采用归一化能量1 MeV的中子脉冲反应堆对AlGaN/GaN异质结材料进行了辐照研究.实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,而2DEG迁移率由于受到ns的调制作用略有增加,同时辐照导致的载流子浓度ns下降造成了沟道串联电阻的增加和异质结构阈值电压(VTH)的正向漂移.分析认为,辐照感生类受主缺陷是造成ns下降和阈值电压漂移的原因.原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)的测试结果表明,辐照后材料的表面形貌有所恶化,材料应变基本不变,而材料的螺位错和刃位错密度辐照后都略有增加.此外,实验结果还表明初始材料质量越好,辐照退化越小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张林	长安大学电子与控制工程学院	36	203	8.0	13.0
2	全思	长安大学电子与控制工程学院	4	10	2.0	3.0
3	刘盼芝	长安大学电子与控制工程学院	18	95	6.0	9.0
4	谷文萍	长安大学电子与控制工程学院	7	12	2.0	2.0
8	徐小波	长安大学电子与控制工程学院	5	7	2.0	2.0