CMOS工艺中PIP电容的不同制作方法

• 作者: 方绍明 赵文魁 闻正锋
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: PIP电容 CMOS(互补式金属-氧化物-半导体) 工艺
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 页码范围: 38-43
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 字数: 3705字
• 语种: 中文

摘要

在CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补式金属-氧化物-半导体）器件制造工艺中，通常都需要集成PIP（Polysilicon-Insulator-Polysilicon，多晶硅-介电层-多晶硅）电容，该电容的制作非常重要。介绍了PIP电容的4种制作工艺，并分别对比了优劣。4种方法分别是：将PIP制作步骤放在第一层多晶硅刻蚀之后，将PIP制作步骤放在侧墙氧化层刻蚀之后，将PIP制作步骤放在源漏离子注入之后，将PIP制作步骤放在第一层多晶硅沉积之后。由于PIP工艺中的热过程对CMOS器件会有影响，且不同的PIP工艺对单项工艺的要求不同，所以这4种方法对器件参数的影响会各有不同。最后通过实际流片验证，证实了第四种方法对器件参数影响最小，且工艺难度最小，与理论分析完全一致。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵文魁		4	6	1.0	2.0
2	闻正锋		2	0	0.0	0.0
3	方绍明		1	0	0.0	0.0