具有单层浮空场板的高压LDMOS器件研究

• 作者: 乔明 文帅
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 浮空场板 RESURF
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TN321+.3
• 字数: 3042字
• 语种: 中文

摘要

通过器件仿真软件Silvaco对带单层浮空场板的高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）器件进行了设计与优化。仿真结果表明：对于击穿电压为600 V的RESURF（reduced surface field）LDMOS器件，场板能够有效地优化器件表面电势分布，降低电场峰值，提高器件的击穿电压。其中场板的数量、长度等参数对高压RESURF-LDMOS器件的耐压有较大影响。并且场板结构增加了double RESURF器件P-top剂量的容差范围，影响了器件的导通电阻。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	178	8.0	12.0
2	文帅	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	3	1.0	1.0