沉积时间对磁控溅射法制备宽禁带半导体薄膜材料ZnS物性及光学性质的影响

• 作者: 杨倩倩 段苹 苗一鸣 邓金祥 陈仁刚 高红丽
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射法 宽禁带半导体 ZnS
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 27-30
• 分类号: O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2015.01.07

摘要

在沉积时间分别为1h、1.5 h、2h及2.5 h的条件下,分别用磁控溅射法制备了ZnS薄膜,用XRD、SEM、台阶仪、椭偏仪等实验仪器进行物性检测,最终发现,沉积时间越长的薄膜,晶粒越小,密度越大,折射率越大;消光系数受晶粒大小、晶界多少、孔隙率等多种因素影响,呈现复杂变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓金祥	北京工业大学应用数理学院	45	150	7.0	9.0
2	段苹	北京工业大学应用数理学院	16	50	5.0	6.0
3	陈仁刚	北京工业大学应用数理学院	3	10	2.0	3.0
4	高红丽	北京工业大学应用数理学院	7	3	1.0	1.0
5	杨倩倩	北京工业大学应用数理学院	4	2	1.0	1.0
6	苗一鸣	北京工业大学应用数理学院	2	8	2.0	2.0