电子辐照改善可控硅触发性能的研究

• 作者: 何明明 岳巍 李兆龙 毛咏甬 王华明 陈祖良 项延赵
• 来源期刊: 能源工程
• 学科: 工学
• 关键词: 可控硅 电子辐照 门极触发电流 通态电压 反退火
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TL99|TN345+.5
• 字数: 5949字
• 语种: 中文

摘要

应用电子束射线对单向微触发可控硅晶圆片进行不同条件的辐照,使用晶体管图示仪测试其门板触发电流和通态电压,研究了辐照剂量、剂量率对门板触发电流和通态电压的影响,使用不同的退火工艺对辐照后的可控硅进行退火实验,监测其退火后参数的变化.实验表明,门极触发电流随辐照剂量的增加而迅速增大,辐照剂量在20 kGy以下时,通态电压基本没有增加;门极触发电流在可控硅约225℃以下退火时,存在反退火现象,继续提高退火温度又表现出正常的退火结果;1.5 MeV电子辐照技术不仅能有效提高可控硅门极触发电流,还能提高晶圆片门板触发电流的一致性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈祖良		10	14	2.0	3.0
2	李兆龙		11	20	3.0	3.0
3	王华明		7	5	1.0	1.0
4	毛咏甬		4	10	2.0	3.0
5	岳巍		5	24	3.0	4.0
6	何明明		1	1	1.0	1.0
7	项延赵		1	1	1.0	1.0