背电极ZnO∶Al薄膜与n-a-Si∶H膜接触特性的研究

• 作者: 吴芳 王伟
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO∶Al膜 n-Si∶H膜 Ⅰ-Ⅴ特性 电接触特性
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 31-33
• 分类号: TB611
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2015.01.08

摘要

本文分别采用电子束蒸发和磁控溅射的方法在n型掺杂(n-Si∶H)膜上沉积了不同掺杂量和不同厚度的掺Al的ZnO(ZnO∶Al)薄膜.通过Ⅰ-Ⅴ测试仪测试了两种方法制备的ZnO∶Al薄膜与n-Si∶H膜的接触特性,结果显示对于电子束蒸发制备的ZnO∶Al薄膜,当掺杂浓度为2.5％时n-a-Si∶H/ZnO∶Al的接触电阻最小,在厚度变化不大的情况下,n-a-Si∶H/ZnO∶Al的接触电阻随着ZnO∶Al厚度的增加而增大.而磁控溅射制备的ZnO∶Al薄膜,n-a-Si∶H/ZnO∶Al的接触电阻随着厚度的增加而不断减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴芳	河南教育学院物理与电子工程学院	8	8	1.0	2.0
2	王伟	中州大学信息工程学院	29	53	4.0	6.0