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摘要:
研究了p-lnGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响.模拟计算发现,随着p-InGaN层厚度的增加,InGaN太阳电池效率降低.较差的p-InGaN欧姆接触特性会破坏InGaN太阳电池性能.计算结果还表明,无论欧姆接触特性好坏,随着p-InGaN层厚度的增加,短路电流下降是导致InGaN电池效率降低的主要原因.选择较薄的p-InGaN层有利于提高p-i-n结构InGaN太阳电池的效率.
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 p-InGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响及机理
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 InGaN 太阳电池 p-i-n结构
年,卷(期) 2015,(5) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 534-538
页数 5页 分类号 TN304.2
字数 2918字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20153605.0534
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵德刚 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 42 214 9.0 12.0
2 周梅 中国农业大学理学院应用物理系 22 69 5.0 7.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
InGaN
太阳电池
p-i-n结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
总被引数(次)
29396
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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