p-InGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响及机理

• 作者: 周梅 赵德刚
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 太阳电池 p-i-n结构
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 534-538
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153605.0534

摘要

研究了p-lnGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响.模拟计算发现,随着p-InGaN层厚度的增加,InGaN太阳电池效率降低.较差的p-InGaN欧姆接触特性会破坏InGaN太阳电池性能.计算结果还表明,无论欧姆接触特性好坏,随着p-InGaN层厚度的增加,短路电流下降是导致InGaN电池效率降低的主要原因.选择较薄的p-InGaN层有利于提高p-i-n结构InGaN太阳电池的效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
2	周梅	中国农业大学理学院应用物理系	22	69	5.0	7.0