磁控溅射法制备 V 掺杂Cu3N薄膜研究

• 作者: 侍宇雨 侯雨轩 李兴鳌 杨建波 杨柳青 王志姣 黄赛佳
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu3N V 掺杂 磁控溅射 反射率 电阻率
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 4057-4060,4065
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3120字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.011

摘要

利用磁控溅射法成功制备了 V 掺杂Cu3 N薄膜.XRD 显示随着 V 掺入浓度的升高,薄膜的择优生长取向由(111)面向(100)面转变.SEM 结果表明向Cu3 N薄膜中掺入 V,薄膜的晶体颗粒形态发生了变化.从对薄膜样品进行的光反射率、电阻率和显微硬度测试结果可以看出,薄膜中掺入适当浓度 V 对其光吸收、导电性和力学性能有一定程度的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李兴鳌	南京邮电大学材料科学与工程学院	43	201	6.0	13.0
2	黄赛佳	南京邮电大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
3	侯雨轩	南京邮电大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
4	侍宇雨	南京邮电大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
5	王志姣	南京邮电大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
6	杨柳青	南京邮电大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
7	杨建波	南京邮电大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0