(SiC)Cf/Si3N4复合陶瓷的制备及性能

• 作者: 周伟 李杨 罗衡 肖伟玲 肖鹏
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 工学
• 关键词: SiC Cf Si3N4 力学性能 介电性能
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 新材料新工艺
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 字数: 2953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2015.03.008

摘要

采用CVD法制备了SiC涂层包覆短碳纤维,并通过凝胶注模成型工艺制备了(SiC) Cf/Si3N4复合陶瓷,探讨了烧结温度对复合陶瓷中(SiC) Cf形貌的影响.同时研究了(SiC) Cf的含量对复合陶瓷力学以及介电性能的影响,当(SiC) Cf含量达到10wt％时,样品的抗弯强度比纯Si3N4陶瓷降低了112 MPa,但断裂韧性显著提高,增加了11.5 MPa·m1/2,介电常数实部和虚部达到最大,介电实部约为15～18,虚部约为6～8;反射衰减随(SiC)Cf的含量和厚度的增加而向低频移动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖鹏	中南大学粉末冶金研究院	157	1541	19.0	30.0
2	周伟	中南大学粉末冶金研究院	57	256	9.0	14.0
3	李杨	中南大学粉末冶金研究院	35	144	7.0	11.0
4	罗衡	中南大学粉末冶金研究院	17	27	3.0	4.0
5	肖伟玲	中南大学粉末冶金研究院	2	0	0.0	0.0