脉冲偏压对多弧离子镀TiAlN薄膜的成分和结构的影响研究

• 作者: 李云珂 潘玉鹏 王萌萌 黄美东
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 多弧离子镀 TiAlN薄膜 脉冲偏压 占空比
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 34-38
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2015.01.09

摘要

采用多弧离子镀在高速钢基底上沉积TiAlN薄膜.利用扫描电镜(SEM)观测薄膜的表面形貌;用EDS分析薄膜表面的成分;用表面轮廓仪测试薄膜的厚度并结合沉积时间计算出沉积速率;用维氏硬度仪测量薄膜的硬度;用XRD表征薄膜的微观结构.结果表明,随着偏压峰值的增大,表面大颗粒逐渐减少,致密性逐渐变好,薄膜硬度也随之增加.沉积参数对薄膜成分有影响,偏压峰值对薄膜中Al含量有较明显的影响,而占空比则主要影响Ti含量.本文对实验结果进行了较详细的讨论和分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄美东	天津师范大学物理与材料科学学院	56	185	7.0	10.0
2	王萌萌	天津师范大学物理与材料科学学院	6	39	3.0	6.0
3	潘玉鹏	天津师范大学物理与材料科学学院	4	25	3.0	4.0
4	李云珂	天津师范大学物理与材料科学学院	6	50	5.0	6.0